ＮＥＣが反りを測定する技術を開発

ＮＥＣ、パッケージされたＬＳＩチップの反りを測定できる技術を開発
　ＮＥＣはこのたび、樹脂等でパッケージされたＬＳＩチップの反り形状を、Ｘ線回折装置を
利用して、パッケージを破壊することなく測定できる技術を開発しました。
　本技術は、パッケージされた状態のＬＳＩチップに通常の２倍以上高エネルギーであるＸ線を
照射し、チップで回折するＸ線）の角度変化量を解析することで、ＬＳＩを基板へ実装する際に
起こるＬＳＩチップの反りの大きさを測定できるものです。
　また、本技術は、薄膜の結晶性評価などで使われている汎用のＸ線回折装置で実現可能なため、
ＬＳＩ製造ラインで導入し、測定したい時に利用することができます。
（中略）
　これまで、計算機シミュレーションで反りや応力の推定は行われていますが、パッケージ内部の
ＬＳＩチップの反りを非破壊で直接測定する技術がありませんでした。そのため、電子部品の精密な
設計と製造プロセス確立に必要となる、ＬＳＩチップの反りと特性変化との因果関係を解明できる
技術が求められています。
　また、パッケージされたＬＳＩチップの非破壊での反り測定に応用可能な分析技術の一つとして、
従来よりＸ線回折法が用いられています。しかし、測定を行うには、Ｘ線がパッケージ材料を透過
し、ＬＳＩチップにより回折され、さらにパッケージ材料を透過する必要があります。そのため、
高エネルギー、かつ、高輝度なＸ線源が必要となり、高輝度放射光施設など利用に様々な制限の
ある大規模な実験施設での測定が必要と考えられてきました。
　このたび開発した技術は、これらの課題を解決し、ＬＳＩメーカーが自社でＬＳＩチップの反り
測定を行うことを実現するものです。
　ＮＥＣは、本技術を応用して、今後も先端デバイス技術の研究開発をさらに進めてまいります。
　なお、ＮＥＣは、このたび開発した技術を、茨城県つくば市で開催される「２００９年春季　
第５６回応用物理学関係連合講演会」において、４月２日に発表いたします。
以上
http://rd.nikkei.co.jp/it/top/ichiran/u=http://it.nikkei.co.jp/business/news/release.aspx?i=216591