MBEの裏技
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0001名も無きマテリアルさん
NGNG何かの学会で聞いた、どっかのグループの話。
InSbAsをエピする際、As源として固体Asを原料にするのではなく、
GaAsを原料に。フラックスを減らしつつ、制御性は良いらしい。感涙。
他にも化合物を原料にする方法ってあるのでしょうか？
0002名も無きマテリアルさん
NGNG0004名も無きマテリアルさん
NGNG「シャッターは開けましたから」と答える。
0005名も無きマテリアルさん
NGNG0006名も無きマテリアルさん
NGNG0007名も無きマテリアルさん
NGNG0009名も無きマテリアルさん
NGNG0010名も無きマテリアルさん
NGNGストリークパターンは、少しだけずらして([011]から少し回転させて）、
スポット気味になったところで振動を取ると、強度が取れるそうです。
0011名も無きマテリアルさん
NGNGX線回折の入門書でロッキングカーブの項を読むと
理解できます。
取りあえず、基板の角度を変えてみましょう。
0012名も無きマテリアルさん
NGNG蒸気圧の高い原料では、化合物を原料にするって、よくあるのでは？
II-VIで化合物を原料に使ってる人の話しをｷﾎﾞｰﾝ
0013名も無きマテリアルさん
NGNG穴を開けておかないと、ネジ穴とネジとで作られた空間に大気が残って、
何かの拍子に、その大気が抜けて、真空度を落とすんだと。電界研磨も忘れずに。
0014名も無きマテリアルさん
NGNG0015名も無きマテリアルさん
NGNGクラッキングセル使えばAs2は楽だよ。
0016名も無きマテリアルさん
NGNGなるべく浅くビームを入射すると良く振動が見えたよ。
スクリーン全体が明るくなるぎりぎりのところで、
基板の角度を調整するといいかも。
左右対称のストリークパターンより、明るい点が弧を描くように
基板を回転させると良いよ。
あとは、成長温度によってはみえないこともあるから注意。
III-V系だとAl組成が見えやすいことも多々ある。
ぐらいな。
0017名も無きマテリアルさん
NGNGクラッキングセルは高いのでｗ
通常セルでのAs2使用ってことで、ご勘弁をｗ
0018名も無きマテリアルさん
NGNGうちでは数時間つきっきりでやってるよ。
0019名も無きマテリアルさん
NGNGで、宮はどこ？
0020名も無きマテリアルさん
NGNG0021名も無きマテリアルさん
NGNGII-VIの化合物は一般に昇華点が
高いので（ZnSで800℃くらい必要）、
pBNのるつぼが使いずらい。
昔は、ZnS化合物でZnS膜をエピ成長させた
人もいたけど、必ずII族-richになるので
良い膜は作れないです。
最近は、三元とか四元を作るのに、
Sをちょっとまぜたい時に使うくらいかな。
それ以前にSを使う人も少なくなってきているし。
0022名も無きマテリアルさん
NGNG0023名も無きマテリアルさん
NGNG今は普通のデジカメを普通の三脚に固定してるけど
0024名も無きマテリアルさん
NGNG具体的にどうずれるのかな？
>>23
普通にRHEED petternsを見るだけなら良いのでは？
基本ストリークしか見えないかもですが・・
あとは、フォーカスは合います？
これについては、どのようなデジカメを使用しているか分からない
ので何とも言えませんが。
以前、解析をしていたときは、chanberへ取り付けたマイクロメータでの
微調整が可能な高感度のCCDを使っていました。
で、PCへ取り込んで解析です。
0025●
NGNGアパーチャに電圧かけてもビームが曲がらなかったり、変な方向に曲がったり、ビームがでなかったり
CCDを使って解析って浜フォトのやつですかね？
0026名も無きマテリアルさん
NGNG>CCDを使って解析って浜フォトのやつですかね？
型番は忘れましたが、浜ﾌｫﾄ製です。
周囲の磁場による影響が大きいので、RHEEDのビーム調整はなかなか難しいですね。
基板温度を変化させるだけでも磁場が変化しますので、RHEEDパターンに影響が出ますし。
基板温度のPIDの調整が良く効いている時のみ解析用のパターン撮影ができましたね（苦笑)
まぁ見るだけなら良いのですがｗ 酸化膜飛んだよ～ とかｗ
0027名も無きマテリアルさん
NGNGどうも貼り付けがへたくそで．．．．
0028名も無きマテリアルさん
NGNG何の？
0029名も無きマテリアルさん
NGNG0030名も無きマテリアルさん
NGNGインジウムです．．．
0031名も無きマテリアルさん
NGNG0032名も無きマテリアルさん
NGNGそれが出来ればとっくにしてます
0033名も無きマテリアルさん
NGNG>>30
(ﾟДﾟ)ﾊｧ? Indiumを貼り付けるって？？？？？
何のこっちゃ？
0034名も無きマテリアルさん
NGNGインジウムで貼り付けるです。
>>27
インジウムは可能な限り薄く塗りましょう。
ガラスやシリコン基板とか、基板ホルダーの材質と同じ金属などで
溶けたInを薄くのばしましょう。
で、基板を貼り付けたら、何往復か少しだけスライドさせましょう。
往復している間に、ピンセットにかかる力が強くなったら、
ぺったりはりついていますよ。
あとは冷やして、基板の外にはみ出したInを剥ぎ取りましょう。
0035名も無きマテリアルさん
NGNG0036名も無きマテリアルさん
NGNGうちは基板を貼り付けた後、ピンセットでぐるぐると回転させて
裏側にまんべんなくInが付くようにしています
27は多分、基板裏面にちゃんとInがなじんでいないんだよ
融かして貼り付けるというより、チャンバ内では表面張力で付いて
いる状態なのだから、きちんとなじませて裏面にInがノっている
状態にしないと駄目だよ
一度、「これでよし」と思った状態で基板を剥がして裏面を
見てみませう。ちゃんと裏面にInがまんべんなくノって、一面
銀色になっていればOK
0037名も無きマテリアルさん
NGNGむらができて試料がだめになる場合がありましたね。
あとは、レーザ構造などの長時間の成長には、Inでは成長中に蒸発し
て基板の落下の危険性があるので、Inの代わりにGaで貼り付けたりし
ていました。その時の基板は、GaAsでした。
0038名も無きマテリアルさん
NGNGありがとうございましたペコリ(o_ _)ｏ))
0039名も無きマテリアルさん
NGNGGaで貼りつける手法はGaAs基板にのみ有効？
0040名も無きマテリアルさん
NGNGノリになってるInは合金化するので蒸発しないだろう。むしろInが蒸発してGaAs中に混入
するのをいやがってGaをはりつけに使うんだよ。まーだから貼り付けになにを使うかは、
蒸気圧と、物質同士の濡れ性を考えて選ぶべき。
0041名も無きマテリアルさん
NGNGふつうはInで貼り付けたりはしないでしょ。
蒸気圧にしろ、サファイアなどとの濡れにせよ、
どう考えても不向きそうだよね。
0042●
NGNG800 ^{o}C以上って、熱処理かAlNの時ですね
InNだと600 ^{o}C以上にするとInNが分解しちゃうし
基板がsapphireとは限りません。
0043名も無きマテリアルさん
NGNG成長後、基板のトランスファー時に落ちるときなんて・・ 悲惨ですｗ
基板やホルダをチャンバー内へ落としたことってあります？
0044●
NGNG基板も、基板ホルダーごとでも、いやぁ、1000回はやりましたんで 1,2 回はねぇ
ﾊﾊﾊﾊﾊﾊﾊ…
0045名も無きマテリアルさん
NGNG徹夜して作ったサンプルごと、パーですからｗ
落下音や落ちたときの痛さは自分しか分かりませんがｗ
0046名も無きマテリアルさん
NGNGホルダーに糊付けしたInはほとんど枯れてしまいます。
ホルダー表面の平坦性なんかも重要なんでしょうねぇ。
0047名も無きマテリアルさん
NGNG平坦性はRHEEDの詳細な解析には重要だと思います。
基板の平坦性は問題ないかもしれませんが、ホルダの凹凸によって基板が
傾くと問題があるかもです。
私は、定期的にMoホルダを研磨して、基板とビームの高さ調整をしていました。
800℃程の温度なら、昔はGaで基板を貼り付けていました。
この場合、800℃程度では問題有りませんでしたよ。
または、少し多めのInで貼り付ける等。
0048名も無きマテリアルさん
NGNG失礼ですが、突然質問します。
MBE法でGaAs基板上にGaAsを成長させた後、表面を見てみると
白っぽくなっています。
それの原因について考察していたんですが、、
どんなことが考えられるのでしょうか。。。？
僕の考えは、酸素等の不純物が表面について凹凸がおきた。
酸素が反応してGaO2が発生した。
Moブロック（フォルダー）に貼り付けた際のInが拡散して表面に回りこんだ。
もしくはInがすでについていた。
酸化膜除去がうまくされていなかった
と、箇条書きで非常に見にくかったでしょう。駄文ながら申し訳ありません。
何かの原因でそのようなことが発生した。。とそんな単純なことではないことはわかっています。
この原因について考えることがナンセンスナンセンスのことはわかっています。
でも、自分はこの原因を見つけ出さないとGaAs成長ができません。
ぜひ、ほかの原因が思い当たる方がおられたら、助言お願いします。。
駄文ながら、まことに申し訳ありませんでした。最後まで目を通してもらってありがとうございます。
0049名も無きマテリアルさん
NGNG0050名も無きマテリアルさん
NGNG昇温時、成長直前、成長直後、降温時のRHEEDパターンはどうでしたか？
モニタができない環境ならば非常に厳しいと思いますが。
>>49
早いのでは？ということは、どの程度の成長速度だと予想しているのかな？
49の意見に対しては非常に興味がありますねぇｗ
0052名も無きマテリアルさん
NGNGAs導入温度って何？
0053●
NGNG砒素圧がそれなりにないと,
GaAs基板温度が高くなった時にGaAsが分解しますよ.
As(flux を)導入(する基板)温度ってことです.
うん，我々だけの言い方だったかもしれない.
0054名も無きマテリアルさん
NGNGふむふむ。意味が分かりました。Thanks!
研究室内用語みたいなのがありますからねｗ
0055名も無きマテリアルさん
NGNG48です。
>>49
成長速度は1.2Å/sです。
>>50
昇温時、成長直前、成長直後、降温時のRHEEDパターンはそれぞれ
昇温時はぼやーとしたパターンです。酸化膜が除去されていない状態です。
成長直前はスポッティーなパターンです。酸化膜が除去された後だと思います。
成長直後はスポッティーパターンが徐々にストリークになっていっています。
しかしそのときのパターンは2×4のパターンが見えるのですが、少しぼんやりしています。
降温時はストリークパターンなのですが、すぐに消えてしまいそうなくらいうっすらとしたパターンです。
>>51
As導入温度は400℃です。
その後520～550℃で酸化膜除去を確認します。
0056名も無きマテリアルさん
NGNG50です。
成長直前のスポッティーなパターンというのは、サーマルクリーニング時に見られる
熱ファセットによるものと考えられます。ただ、サーマルクリーニング後、成長温度へ設定すると
思いますが、サーマルクリーニングの温度については、どのような基準で行っていますでしょうか。
例えば、酸化膜除去温度からみてどの程度とか。
降温時は、うっすらとしたパターンとありますが、何度くらいでそのようになりますでしょうか。
また、降温時における[11-0]、[110]のRHEEDパターン変化はなんとか確認できますでしょうか。
確認できる場合、どのようなパターンになっていますでしょうか。
c(4x4)も確認ができないようでしたら、V-IIIの比に問題があるかなぁと考えています。
V-III Flux比はどの程度でしょうか。
0057名も無きマテリアルさん
NGNG>>55
への間違いでしたｗ
0058名も無きマテリアルさん
NGNG>>56
サーマルクリーニングの温度は酸化膜除去から60℃上昇させています。
それはプルーグの論文にサーマルクリーニングは630℃以下で行うと書いてあったからです。
酸化膜除去はRHEEDパターンで基本周期が1本から3本見えたときに酸化膜除去確認と判断しています。
酸化膜除去の際の基板表面温度は540℃であると同論文で書かれていました。
サーマルクリーニングは600℃ということになると思います。
はい。Ga供給をやめたあたりからうっすらとします。
成長温度が530℃としていますので、温度でいうと530～520℃です。
降温時は1分ごとに5℃下げる方法とっています。
降温時の[11-0]と[110]のRHEEDパターンは後者は4倍周期が確認することができるんですが、
前者は確認することはできませんでした。
Ⅴ－Ⅲ比は21です。
質問なんですが、c(4x4)とはなんのことですか？
0059名も無きマテリアルさん
NGNGサーマルクリーニングについては、問題ないと思います。
>酸化膜除去はRHEEDパターンで基本周期が1本から3本見えたときに酸化膜除去確認と判断しています。
ってことは、[11-0]から見て、x4パターンになっているということかと思いますが。。
EJオプションのGaAs(001)基板を使用しているようなら、確か、OFが[110]だったと記憶しておりますが。
さて、
>降温時の[11-0]と[110]のRHEEDパターンは後者は4倍周期が確認することができるんですが、
この部分が気になりました。
降温時に[110]がx4パターンってことは、V-III比が小さいと思われます。
もう少しV-III比を上げてみてはどうかと判断しましたがどんなもんでしょうか。
49さん、51さんの御意見は如何でしょうか。
>質問なんですが、c(4x4)とはなんのことですか？
少し古いですが、GaAs成長についての論文を探してみてはどうでしょうか。
または、分子線成長法について書かれた書籍なら、大抵は載っていると思いますが。
0060●
NGNG一部では o(4X4)構造もあるとかなんとか
0061●
NGNG成長速度が1.2Å/sは、成長量が比較的小さいと思います.
砒素圧が大きい方が綺麗な膜が出来やすかった記憶があります. 窒化物屋なので昔の
ノートを漁れば思い出すかもしれませんが…
0062●
NGNG0063名も無きマテリアルさん
NGNGいきなりなんのこっちゃ
0064●
NGNG上のほうで白濁化したとかいってたから. e||[110]とあるから, (001)面ですね.
吊って来ます.
0065名も無きマテリアルさん
NGNG>>59
ありがとうございます。Ⅴ－Ⅲ比を30ほどに上げたら、きれいな表面を得ることができました。
Ⅴ－Ⅲ比が20程度あればいいのかなぁって思ってたんですが、それが甘かったです。
本当にありがとうございました。
c(4×4)について、調べてみました。僕には難しいかったですが、理解することがある程度できました。。。
いい勉強になりました。たぶん自分だけでは調べることなかったから、機会をいただいて感謝感謝です。
>>60
親切に教えてくださってありがとうございます。
>>61
初めて知りました。結構ホモエピタキシーの場合はそうやってもいいんですね。自分もいつかはGaNに挑戦したいっす
>>62
Ｂ面はそのように使えること初めて知りました。(001)面がもっともきれいなエピができるものと思ってました！
相談に乗ってくださったみなみなさま。本当にありがとうございます。
また、難問にぶつかったときは、質問しますので、そのときもぜひ、相談にのってください
どーもです
0066名も無きマテリアルさん
NGNG59です。
無事に解決したということで、おめでとう御座います。
c(4x4)については、InAs量子ドットの作製方法についての文献を見ると
出てくる率が高いと思います。多くは、c(4x4)表面上へInAsを成長している
と思いますので。さらに、STM等で表面を観察しているグループもあります
ので、その辺を調べると良いかなぁと思います。
0067名も無きマテリアルさん
NGNG0068名も無きマテリアルさん
NGNG0069●
NGNG0070名も無きマテリアルさん
NGNG0071名も無きマテリアルさん
NGNGやりてぇ～
0072名も無きマテリアルさん
NGNG0073名も無きマテリアルさん
NGNG0074名も無きマテリアルさん
NGNG0075名も無きマテリアルさん
NGNG（2*4）パターンは降温中にどう変わるべきですか？
もちろんAs圧に依存すると思いますが、
大体400度ぐらいまで高As圧下で降温するとc(4*4)になりますよね？
一方で500～550度から低As圧下で降温すれば、(2*4)のままだと思うんですけど。
文献で降温中に(2*1)に変わるというのを読んだのですが、
まったくそうなりません。
0076名も無きマテリアルさん
NGNG低温になってくると、Asが付着してしまい、パターンが薄くなるのではないかと。
0077名も無きマテリアルさん
NGNG0078名も無きマテリアルさん
NGNG主な連載陣
ドラゴンボール・・・・・・・・・・・・・・鳥山明
スラムダンク・・・・・・・・・・・・・・・井上雄彦
ろくでなしＢＬＵＥＳ・・・・・・・・・・・森田まさのり
ドラゴンクエスト ダイの大冒険・・・・・・三条陸／稲田浩司／堀井雄二
シティーハンター・・・・・・・・・・・・・北条司
花の慶次-雲のかなたに-・・・・・・・・・・原哲夫／隆慶一郎
ジョジョの奇妙な冒険-第３部-空条承太郎・・荒木飛呂彦
魁！男塾・・・・・・・・・・・・・・・・・宮下あきら
まじかるタルるートくん・・・・・・・・・・江川達也
こちら葛飾区亀有公園前派出所・・・・・・・秋本治
幽遊白書・・・・・・・・・・・・・・・・・富樫義博
電影少女・・・・・・・・・・・・・・・・・桂正和
新ジャングルの王者ターちゃん・・・・・・・徳弘正也
燃える！お兄さん・・・・・・・・・・・・・佐藤正
エース！・・・・・・・・・・・・・・・・・高橋陽一
珍遊記・・・・・・・・・・・・・・・・・・漫画太郎
（週間少年ジャンプ１９９１年３－４合併号より）
0079名も無きマテリアルさん
NGNGある表面構造のまま室温に戻したい時は素早くクエンチすると
良い。
0081名も無きマテリアルさん
NGNG訳あってバッファー40nmぐらいしか積めなくて見えるか見えないかぎりぎりラインです．
だから成長はいっつも膜厚がてきとーで...大体はあってますが
それより組成が...(泣
0082名も無きマテリアルさん
NGNG0083名も無きマテリアルさん
NGNG>訳あってバッファー40nm・・
どんな訳なんでしょう？
公開できないようでしたら、仕方がないですが。
0084名も無きマテリアルさん
NGNGIn組成ってどこまで伸ばせるの？もちろんPLが光る範囲で・・・膜圧は50Å程度
0085名も無きマテリアルさん
NGNG転位が入らん程度の組成なら大丈夫と思うけども...
0086名も無きマテリアルさん
NGNG文献によると２０％まではガンガン光るらしい
0087名も無きマテリアルさん
NGNG選択成長してるんだが，100nmもつんでしまうと
ファセットで全部覆われてしまうので，これだと都合が悪くて...
というわけで，40nmあたりがちょうどいいぐらいで...
0088名も無きマテリアルさん
NGNGSbを少量添加ｽﾚ
0089名も無きマテリアルさん
NGNG最近トリメチルインジウムのガスセルいれたんで供給実験したんですけど
全くインジウムが入らなかったんですよ。
実験条件は
基盤はSi(111)基盤に水素終端処理したもの。
供給材料はトリメチルインジウムのみ。
ガスセル温度は480℃
基盤温度600℃
流量0.3sccm
こんな感じでやってみてインジウムドロップがでればOKって感じだったんですけど
全く出ませんでした。
インジウムじゃなく炭素でもついたのかなって予想してるんですけど…
0090●
NGNG「基盤」とは使わないと思います。「基板」です。
基板温度600 oCでしたら、表面が炭化されたかどうかはRHEEDでは確認できない
と思います。 Inの平衡蒸気圧は高い方ですから、基板温度をおもいっきり下げてみて
は如何でしょうか？
0091名も無きマテリアルさん
NGNG環境試験で レイティングナンバーてでてきました・・・・
詳細を知りたいのですが・・・
また、公式で 腐食部 長径（ｄ１） 短径（ｄ２）
（π／４）＊（ｄ１＊ｄ２）でしょうか・・・・
π／（４＊ｄ１＊ｄ２）でしょうか・・・
よろしくお願いします。
0092名も無きマテリアルさん
NGNGあほ
0093名も無きマテリアルさん
NGNGなんのこっちゃ？
0094名も無きマテリアルさん
NGNG0095名も無きマテリアルさん
NGNG旅費20万円自腹・・・
むり・・ しぬ・・
0096名も無きマテリアルさん
NGNG手元の本には混晶成長のときに効果が大きいって書いてあったが理由がよくわからねっす
0097名も無きマテリアルさん
05/01/17 01:50:03今日5回も失敗しちゃった♪
大企業の研究所なんかだとこんなことないんだろうか。
0098名も無きマテリアルさん
05/01/17 10:11:42それってIｎの量が多すぎではもう少し少なくしてみるとか？
後、きばんは「基盤」ではなく「基板」です。分かってるとは思うけど
0100名も無きマテリアルさん
05/01/19 03:52:040101名も無きマテリアルさん
05/01/19 10:30:410102名も無きマテリアルさん
05/01/19 20:57:24うちのＭＢＥ装置では1sccmも流したら真空計が壊れそうになるんだけど。
0103名も無きマテリアルさん
05/01/19 21:08:02ガスソースやってないからしらんですけど～
0104名も無きマテリアルさん
05/01/22 23:48:390105名も無きマテリアルさん
05/01/23 19:25:37嘘付け。どんな条件で照射したらダイヤなんてできるんだよ。
0106名も無きマテリアルさん
05/01/25 07:29:44こういう場合はどうしようも無いんでしょうかね
0107名も無きマテリアルさん
05/01/27 14:14:40(*￣ﾉ￣)/Ωﾁｰﾝ (*￣-￣)人 i~ 合掌
0108名も無きマテリアルさん
05/01/28 03:30:440109名も無きマテリアルさん
05/01/29 00:12:140110名も無きマテリアルさん
05/01/29 10:03:41真空破るしかないね
0111名も無きマテリアルさん
05/02/05 03:24:26知り合いの研究室で油拡散ポンプ付きのGS-MBEを使っていた。
あるとき、トラップの液体窒素が無くなって
油が逆流したらしい。
大きなフランジを開けて内側を
アルコールで全部拭いたそうだ。
その後もチェンバーは使っていたよ。
大きなフランジにねじ閉め用の番号が書いてあって
ちょっと笑った。
0112名も無きマテリアルさん
05/02/08 16:09:59うちのはもう１０ねん以上も使ってるらしいんですがやっぱ時代遅れ感は否めない・・・
0113名も無きマテリアルさん
05/02/10 10:13:09うちはそろそろ10年。
0114名も無きマテリアルさん
05/02/10 22:14:49オートで調整してくれるやつとかほしいなぁ。
0115名も無きマテリアルさん
05/02/26 18:08:060116名も無きマテリアルさん
2005/05/18(水) 03:03:300117名も無きマテリアルさん
2005/05/18(水) 04:16:550118名も無きマテリアルさん
2005/05/18(水) 15:47:030119116
2005/05/20(金) 00:51:24メンテ後１ヶ月で開けるなんてできねェ～
0120名も無きマテリアルさん
2005/10/17(月) 15:54:26RHEEDパターンでなぜストリークであれば表面が平坦なのか
分かりません。
言い方を変えれば、何故ストリークになるのでしょうか？
0121名も無きマテリアルさん
2005/10/19(水) 11:34:400122名も無きマテリアルさん
2005/10/21(金) 00:02:13よく、間違えられていますが
ストリークだからといって、表面が平坦であるとは限りません。
ストリークの場合、有限長で平坦であるといわれると思います。
高見知秀:「反射高速電子回折図形解釈の練習問題」, 表面科学,
25 (2004) 363.
上記の文献をごらんになればよいと思います。
0123名も無きマテリアルさん
2005/11/01(火) 01:41:36逆格子空間ロッドが、表面が有限であるために伸びて、
その結果ストリークになる。
0124名も無きマテリアルさん
2005/11/01(火) 22:44:16うんこ、うんこへ。
このうんこはうんこだ。まずうんこを飲んでうんこ。
うんこ、「うんこ」なんだ。うんこ。
うんこの顔もうんこまでと言ううんこ、うんこしてもらおうとも思っていない。
うんこ、このうんこを見たとき、うんこは、きっとうんこでは言い表せない
「うんこ」のようなうんこをうんこしてくれたはずだ。
うんこな世の中で、そういううんこをうんこしないでうんこ、そう思って
このうんこをうんこしたんだ。
さあ、うんこを食おうか。
このレスを見た人は酷い下痢になる
0125名も無きマテリアルさん
2005/11/08(火) 12:49:35検索で探して pdf をダウンロードしたけど、
パスワードがかかってて見れなかった orz
0126名も無きマテリアルさん
2005/12/23(金) 22:06:03フタロシアニン系のセル温度は何度くらいが
ベストでしょうか。
0127名も無きマテリアルさん
2005/12/25(日) 23:41:41ベストってどういう意味なんだろう．
フタロシアニン系なら蒸着速度見ながら適当にやればそれでいいような気がする．
基本的に分解しないし．
温度的には300℃ちょっとこえたあたりで飛ばしてたような気がするけど，
セルによっても変わるだろうから参考にもならないかと．
0128名も無きマテリアルさん
2006/09/03(日) 22:59:560129名も無きマテリアルさん
2007/07/15(日) 06:36:320130名も無きマテリアルさん
2007/07/17(火) 00:13:49そんなオレもMBEに向いてないかもしれない。
でもMBEが好きだ。
0131名も無きマテリアルさん
2007/07/17(火) 01:25:54今やどこも撤退しているみたいね。
0132名も無きマテリアルさん
2007/10/16(火) 19:12:28まだ量産される段階じゃねーだろ。
開発はいろんなとこでしてるよ。
0133名も無きマテリアルさん
2008/02/26(火) 06:29:360134名も無きマテリアルさん
2008/02/26(火) 15:37:220135名も無きマテリアルさん
2008/03/02(日) 06:07:540136名も無きマテリアルさん
2008/05/15(木) 16:20:20もっと前に誰か気づけよ・・・orz
0137名も無きマテリアルさん
2008/06/19(木) 10:06:55タイムリーなところとして
半導体スピントロニクス材料実用化へのブレークスルー
－動作温度上昇への鍵を放射光が解明－
http://news24.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1213718527/
0138名も無きマテリアルさん
2008/07/12(土) 12:49:560139名も無きマテリアルさん
2008/09/09(火) 19:24:38ある企業では研究も撤退させたらしい。
希薄に窒素を入れても、結晶欠陥が多量に発生してしまい信頼性のある結晶にならないらしい。
0140名も無きマテリアルさん
2008/09/11(木) 02:24:33コストとか歩留まりは見合うのかね？
0141名も無きマテリアルさん
2008/09/18(木) 11:30:24どうすればうまくいきますか？
0142名も無きマテリアルさん
2008/12/18(木) 02:11:400143名も無きマテリアルさん
2010/01/06(水) 17:31:310144名も無きマテリアルさん
2010/07/24(土) 01:46:10
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