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「通信用レーザーについて話そう」の巻

■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
00011NGNG
やっぱりGaInAsNですか?
0002名も無きマテリアルさんNGNG
卒研は自分でやれ。
どうせ秋葉でレーザ・ダイオード買って来て
特性試験するだけだろ?
0003漂泊の2ゲッターNGNG
             ////
           ////
          ∧_∧    / ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄
        /( ´Д`;)  <3ゲト〜〜!
     ⊂/\__〕 ヽ   \__________
      /丶2    |Σノ
      / //7ゝ〇 ノ\  フオオオォォォン
     (_///⌒γノ/___)
     ///  ///ノ
     |/  ///
     /  //
      V ノ
0004名も無きマテリアルさんNGNG
>>2
そんなことするの?
0005名も無きマテリアルさんNGNG
>>1 東光台生?

>>2 ”通信用”LDの値段しらねーのか?
0006名も無きマテリアルさんNGNG
3000$くらいでしょ
00071NGNG
>>5
No,How are you?
0008名も無きマテリアルさんNGNG
物性の議論をする能力がなさそうなスレッド
0009名も無きマテリアルさんNGNG

物性の議論をする能力がなさそうな8=2
0010パンジーNGNG
女装グッズ 初心者にも解りやすく 親切 丁寧 ぜひ ご覧下さい。

http://www.h3.dion.ne.jp/~josei/
0011名も無きマテリアルさんNGNG
筒抜け?
0012名も無きマテリアルさんNGNG
ギョフ
0013名も無きマテリアルさんNGNG
GaInAsNはもう将来性ないでしょ。別のテーマをやったほうがいいと思うよ。
マジレススマソ。
00148≠2NGNG
>>9
勘違いして人に迷惑かける暇あったら、早く言いたい事言え。
0015じゃ、まずNGNG
実用化されているGaInAsPより芸ナスの方が優れている点を述べてくれ
0016名も無きマテリアルさんNGNG
違う。3=8。

芸ナスって?
0017名も無きマテリアルさんNGNG
現在は何が実用化されてるの?
0018名も無きマテリアルさんNGNG
GaAs!!!!!!!!!!!!
0019名も無きマテリアルさんNGNG
>>17
通信用レーザ InP基板上のInGaAsP
CD用レーザ GaAs基板上のGaAlAs
DVD用レーザ GaAs基板上のInGaAlP
次世代DVD用レーザ(試作段階) サファイア基板上GaN(GaAlN/GaInN)
0020名も無きマテリアルさんNGNG
>>16
GaInNAs を ゲイナス と読む
局地的に流行ってるみたいだYO
0021名無しさん@35周年NGNG







         http://genie.gaiax.com/home/nakatai







0022名も無きマテリアルさんNGNG
>>13
の言ってる事は本当なの?いまはGaInAsPが使われているんですよね?
芸ナスは波長が1.3nmぐらいで通信用にもってこいって聞いたんですが。
0023窒化物NGNG
窒化物半導体レーザーってどうなの?
0024名も無きマテリアルさんNGNG
>>15

現在の高速・大容量のネットワーク社会を支えているのは光ファイバー網ですが、
光ファイバーにデータを送るためには受光・発光素子が必要です。現在使われてい
る発光素子はGaInAsPで作れれたLEDやLD(レーザーダイオード)が用いられていま
す。GaINAsPのバンドギャップが光ファイバの低損失波長帯(1540nm)であることが
主な理由です。しかしこれらの材料は環境に対する負荷が大きく、将来の超高度通
信社会を支えるためには役不足であるといえるでしょう。

材料は環境に対する負荷が大きい⇒それが小さいGaInNAs
0025名も無きマテリアルさんNGNG
>>24
GaInNAsにもAsが含まれているので環境負荷は理由にならない。
現行のGaInAsP系レーザーは温度特性が悪い。これは通信帯レーザーでは
大問題。温度揺らぎで波長シフトや強度変化を引き起こす。
GaInNAsは(GaAsと組み合わせられるので)温度特性が向上する。
これが最大の魅力。ただし結晶成長が難しいので予測通りのデバイス特性が
得られるかが今のところの課題。
0026名も無きマテリアルさんNGNG
GaAs基板はInP基板より大口径化技術が進んでるので、
原価削減にもつながる罠。

ところで、MOCVDで作る場合のキャリアガスはGaN系と同様に
水素+アンモニアなのか?
それじゃぁ一筋縄には高品位の結晶を作るのは至難でしょうな。
0027 NGNG
テレビ局は普段増税しろとか喚いてるくせに,税金ガメてこんなもの作ってます
http://members32.cool.ne.jp/~yuzer8/tocho.html
盗聴/盗撮器です
0028名も無きマテリアルさんNGNG
■こいつ痛いがいいヤシだぜ■
http://members.tripod.co.jp/hidakagray/kakisute/top.html

好きなように対応してやってくれたまへ
0029名無しNGNG
ナイトライドで赤外出そうって人もいるけど…、本当に出るのかな?
0030名も無きマテリアルさんNGNG
http://www.i-chubu.ne.jp/~tomomi-h/marion/navi/navi.cgi?links=20348
0031名も無きマテリアルさんNGNG
GaAs上のGaInNAsは一般的にMOCVDで作るの?
0032名も無きマテリアルさんNGNG
>>31
MBEでもあったような
あと >>24 は「役不足」の使い方が間違っていまス
0033名も無きマテリアルさんNGNG
>>25
格子整合が目的じゃないの?
0034名も無きマテリアルさんNGNG
>>33
温度特性が目的。現行のInP基板上のInGaAsPによるLDはクラッド層とのバンド差が小さく
キャリアの集まりが悪く無駄な電流による熱が発生するので、冷却装置が
必要となる。←無駄。
003534NGNG
25ではないぞ。
0036名も無きマテリアルさんNGNG
GaAsはどう?
0037名も無きマテリアルさんNGNG
>>36
今さら?
0038名も無きマテリアルさんNGNG
>>29
希土類ドープのことですか? 京都の方でやってるみたい
0039名も無きマテリアルさんNGNG
>>37
今さら?
0040名も無きマテリアルNGNG
ナイトライドに希土類ドープするとどうしてバンドギャップがちいさくなるのでしょう?なにか結晶の構造が変わるのでしょうか?
0041名も無きマテリアルさんNGNG
>>40
愛が生まれるから
0042名も無きマテリアルさんNGNG
スレッドを立てられないやつはここに書け!part18

http://cocoa.2ch.net/test/read.cgi/qa/1036929425/
0043名も無きマテリアルNGNG
>>41
俺も希土類ドープしようかな
0044名も無きレーザー屋NGNG
>>34
それを言うなら「量子井戸とバリアのオフセットが大きい」
今時バルク活性層など誰もレーザーに使わんよ.(一部の格安レーザを省く)

芸ナスは面発光レーザ以外には不要でしょう.
既存のInP系に勝てるわけ無いし再成長も難しいからDFBはつらい.
最近ヨーロッパでは「芸ナス」ではなく「GINA(ジーナ)」が流行りだしてる.
「芸」の響きがよろしくないようで.

>>13
材料としての研究対象としては面白くないね.デバイスにとっとと移行せんと.
0045名も無きマテリアルさんNGNG
>>44
GINAって、ゲイナスの呼び名を変えただけ?
0046名も無きレーザー屋NGNG
>>45
そう,頭文字とっただけ.
0047名も無きマテリアルさんNGNG
>>19
屋内などの短距離光通信用はGaAs?
0048名も無きマテリアルさんNGNG
>>47
プラスチック光ファイバ(POF)なら
GaAs基板上のInGaAlP系赤色レーザですな
004987uuuuuu5j76j日本創造教育研究所 田舞徳太郎についてNGNG
7h666666666666666j787886ij8i8y日本創造教育研究所 田舞徳太郎について
... 光洋ハウジング, 川畑富男, 大津市大萱1?20?15, 543?3457. 佐和興産(株), 澤 英明, 大津市大江4?14?31, 543?2336. ... http://www.takken-shiga.gr.jp/minamimeibo.htm 北西
支部... ...
http://money.2ch.net/test/read.cgi/manage/1003492619/-100
あぁぁぁぁぁぁぁぁぁijy78kik87i787j87686
... 光洋ハウジング, 川畑富男, 大津市大萱1?20?15, 543?3457. 佐和興産(株), 澤 英明, 大津市大江4?14?31, 543?2336. ... http://www.takken-shiga.gr.jp/minamimeibo.htm 北西
支部 ... ...jiiiiiiiiiiiiiiiiiii
h
0050名も無きマテリアルさんNGNG
雑音電波野郎が。
0051名も無きマテリアルさんNGNG
現行や近未来用の光ファイバーを教えて下さい
0052名も無きマテリアルさんNGNG
現行も近未来用も糞もないだろ。
0053`NGNG
          __,__
         _|    |_
        |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄
0054`NGNG
          __,__
         _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄
0055`NGNG
            __,__
          _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄
0056`NGNG
           __,__
          _|    |_
         |━警視庁━| 
          ̄◎ ̄◎ ̄
0057名も無きマテリアルさんNGNG
56w
0058名も無きマテリアルさんNGNG
>>51
プラスチック光ファイバ(POF)
0059名も無きマテリアルさんNGNG
あげ
0060名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsが高温に強いってのはどういうメカニズムなの?
高温でもバンドギャップが変化しないってことなのかなぁ
0061名も無きマテリアルさんNGNG
>>60
信じるものがあるから強くなれる
0062名も無きマテリアルさんNGNG
>>60
バンドオフセットが大きく無駄な電流が少ない
0063名も無きマテリアルさんNGNG
なるほど。。
0064名も無きマテリアルさんNGNG
>>60
高温に強いって、T0がでかいってことか?
0065名も無きマテリアルさんNGNG
>>64
そうだよ
0066名も無きマテリアルさんNGNG
あげ
0067名も無きマテリアルさんNGNG
照明用として何故紫外域のレーザが必要なの?青+蛍光塗料と比較してどういう利点があるの?
0068名も無きマテリアルさんNGNG
キティガイ、キタ━━━━(゚∀゚)━━━━ッ!!
0069名も無きマテリアルさんNGNG
照明用なの? Blu-rayなんかの光ディスク用のレーザかと思ってたけど
0070名も無きマテリアルさんNGNG
失礼。>>67はくだ質系スレと誤爆したんだ。
2週間近く前の間違えに気付かせるこの板も乙だね。
0071名も無きマテリアルさんNGNG
1週間前か…ハズ。しかもageちゃってるし。
また一ヵ月後位に見て恥ずかしい思いをするのだろうか。
0072名も無きマテリアルさんNGNG
>>69
照明ならRGBのBじゃないの??
0073山崎渉NGNG
(^^)
0074山崎渉NGNG
(^^)
0075山崎渉NGNG
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)
0076山崎渉NGNG
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―
0077山崎渉NGNG
     ∧_∧
ピュ.ー (  ^^ ) <これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  =〔~∪ ̄ ̄〕
  = ◎――◎                      山崎渉
0078名も無きマテリアルさんNGNG
いい加減学習しろや。別のスレがあるんだから
そっちでやるということをなぜ学習できないのだ?
いちいち脊椎反射で動くな。少しは考えろ。
ああ、一度でいいから殺したい。
バットで頭蓋を叩き割りたい。
0079名も無きマテリアルさんNGNG
応物で何か面白い話あった?
0080名も無きマテリアルさんNGNG
VCSEL1.55\mum
0081名も無きマテリアルさんNGNG
シリコンSi
シリコンナノ結晶はバルク結晶とはバンド構造が異なり、発光、増幅が可能。
量子ドットに配列させればレーザー発振も夢じゃない。
0082名も無きマテリアルさんNGNG
>>81
代表的な論文ってある?
0083名も無きマテリアルさんNGNG
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0084名も無きマテリアルさんNGNG
>>82
L.T.Canham;Appl.Phys.Lett.,57,1046(1990).
0085名も無きマテリアルさんNGNG
温度特性を良くするなら半金属を混ぜたらどう?
どっかの教授がやってるがInTlGaAs/InPを。どうもあやしい。
絶対Tlは取り込まれてないとおもう。だけど、温度特性
いいんだよな?なぜだ?
0086名も無きマテリアルさんNGNG
ゲイナス(GaInNAs)の話は最近あまり聞かないけど、どうなんですか
0087名も無きマテリアルさんNGNG
Tl(タリウム)って何%くらい入るの?
0088名も無きマテリアルさんNGNG
>>87
ほとんど取り込めないね。知ってる限りでは今のとこ10%ぐらい
Tlを取り込ませる方法は低温成長、Asフラックスを大きくすればいい。
でも、単結晶厚は150Åぐらい(Tl組成9%のTlGaAs/GaAsで)
0089名も無きマテリアルさんNGNG
温度特性だったらドットが定番じゃないの?
0090名も無きマテリアルさんNGNG
>>89
100へー 初めて知った
0091名も無きマテリアルさんNGNG
ソファーに座って豪快に大股開き。
オナニーはもちろんタップリ時間をかけて愛撫されてます。
おいおい大丈夫か、というくらい奥まで指を入れられ気持ち良さそう!
挿入シーンでは色んなアングルから結合部分が楽しめますよ。
僕はセーラー服が大好きです。無料動画でヌキまくり!
http://www.pinkschool.com/
0092某研究者NGNG
減衰や屈折の問題等も有り
水中用レーザー通信成る物は可能なのかだろうが
レーザーが太ければ可能なのだろうか
0093名も無きマテリアルさんNGNG
MQWとかSCHとかDFBとかVCSELとかいろいろあるけど、
日本の根幹ネットワークで使われている通信用レーザって結局何なの?
0094名も無きマテリアルさんNGNG
>>93
DFB?
0095名も無きマテリアルさんNGNG
>>93
DFBかな?
0096名も無きマテリアルさんNGNG
>>93
共振器構造はDFBだが活性層にはSCHおよびMQWの組み合わせ構造が用いられている。
0097名も無きマテリアルさんNGNG
1はM(T)研?
0098名も無きマテリアルさんNGNG
量子ドットレーザー
0099名も無きマテリアルさんNGNG
>>98
同士よ。材料系は?やっぱGaInAs/GaAs?
0100名も無きマテリアルさんNGNG
>>99
すまん。アンチモンやねん。
0101名も無きマテリアルさんNGNG
MBEでつか?Sbで均一なドット作る事も中々難しい気が。
SK成長モードでのドットのポテンシャルってどうなんだろう・・・
0102名も無きマテリアルさんNGNG
MBEです。
最近レーザー発振しました。
0103名も無きマテリアルさんNGNG
へー。・・・ってすげー!
先週のQDPCであってたりして。あはは・・・
0104名も無きマテリアルさんNGNG
あってます。
誰だかばれたな。きっと。
ま、そのうちにどこかの学会で会いましょう。
0105名も無きマテリアルさんNGNG
健闘を祈ります。また発表聞かせてください。
0106名も無きマテリアルさんNGNG
光通信の需要って本当にこれから来るのか?
0107名も無きマテリアルさんNGNG
>>106
来ます。
0108名も無きマテリアルさんNGNG
もうこねーんじゃねーのー
0109名も無きマテリアルさんNGNG
光通信落ち目だよな。
0110名も無きマテリアルさんNGNG
ギガイーサ面発光インターコネクトで盛り返すナリ
0111名も無きマテリアルさんNGNG
>>110
東工大の人?
0112名も無きマテリアルさんNGNG
光通信って大学の研究テーマとしてはよくありがちなんだがな。
0113名も無きマテリアルさんNGNG
ADSLよ・・・
0114名も無きマテリアルさんNGNG
ブラッグ反射膜でよくλ/4nってつかうけど、この4って数字はどこからくるの?
位相をずらすんなら整数倍の方が干渉しそうだけど・・・
0115名も無きマテリアルさんNGNG
>>114
整数倍位相をずらしても何も起きないと思うが・・
0116名も無きマテリアルさんNGNG
>>114
伊賀先生の本読んだ方がはやいんでねーの
0117名も無きマテリアルさんNGNG
>>114
光路長の差は、行き帰りがあるんで、膜厚の倍になるからね。
0118名も無きマテリアルさんNGNG
シスコの10GEのモジュール(40km)1対向2000;y=-( ゜д゜)・∵. ... ターン
0119名も無きマテリアルさんNGNG
光通信は氷河期だねー。春は何年後だろう。
0120名も無きマテリアルさんNGNG
富士カンタム!!
0121名も無きマテリアルさんNGNG
量子効果が現れるのは、化合物によって異なるのですか?
そのサイズはどうやって求めるんですか?
0122名も無きマテリアルさんNGNG
ド・ブロイ波長以下だろ?例えばGaAsなら20nmくらいか(@RT)
0123名も無きマテリアルさんNGNG
λ=1.3μmのGaInNAsだとどのくらいですか?
0124名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsか…東工大の人?
0125名も無きマテリアルさんNGNG
>>124
ちがうけど・・・
0126名も無きマテリアルさんNGNG
>>125
MOCVDでGaInNAs?某事情により、今はどこも研究ストップしていると思うんだがなあ
0127名も無きマテリアルさんNGNG
>>126
某事情・・?!なんですか?
0128名も無きマテリアルさんNGNG
>>126


                        |
                        |  
      ∩___∩              |  ぷらぷら
      | ノ  _,  ,_ ヽ        ((   |
     /  ●   ● |         (=)
     |    ( _●_)  ミ _ (⌒)    J  ))
    彡、   |∪|  ノ  
⊂⌒ヽ /    ヽノ  ヽ /⌒つ
  \ ヽ  /        ヽ /
   \_,,ノ      |、_ノ


          \   ∩─ー、    ====
            \/ ● 、_ `ヽ   ======
            / \( ●  ● |つ
            |   X_入__ノ   ミ   そんなエサで俺様がクマー!!
             、 (_/   ノ /⌒l
             /\___ノ゙_/  /  =====
             〈         __ノ  ====
             \ \_    \
              \___)     \   ======   (´⌒
                 \   ___ \__  (´⌒;;(´⌒;;
                   \___)___)(´;;⌒  (´⌒;;  ズザザザ
                                (´⌒; (´>>

0129名も無きマテリアルさんNGNG
やっぱSbだろ。
0130名も無きマテリアルさんNGNG
>>127
DMHyの危険性と、除害灯の爆発事故があったからどこも止まって聞いたんだがなぁ。
某社製のMOCVDに限った事かもしれないけど。
0131名も無きマテリアルさんNGNG
>>130
へぇへぇへぇ!そうなんだ、でもMBEとかCBEでは続いてるんじゃないの?
活性層以外がAlとかのせいでMOCVDじゃないとやりずらいからストップ中なの
かな?
0132名も無きマテリアルさんNGNG
いやもちろんMBEでやる分には問題無いんだが、そもそもMBEで窒化物はあんまり
栄えていないのでは。GaInNAsをMBEでやるメリットは中々ないし、
MBEで窒化物の通信分野と言えばAlN/GaNのISBT位しか残されてないんじゃないかな。
活性層以外がAlとかのせいで〜ってのはどういう意味?
0133名も無きマテリアルさんNGNG
MBEのセルの材質がAlと相性がわるいんじゃなかったっけ?
0134名も無きマテリアルさんNGNG
http://www.ite.or.jp/news/keyword/OptCommunication.html
0135名も無きマテリアルさんNGNG
MOCVDもTMAlとNH3の寄生反応があるから質はあんまりよくないよ。
0136名も無きマテリアルさんNGNG
Alの層を成長する段階になっても
成長槽内にNH3が問題になるほど残ってしまうんですか?
0137名も無きマテリアルさんNGNG
基板にAlがくっつくまえにアンモニアと反応しちゃって副生成物になるんだよ
0138名も無きマテリアルさんNGNG
>>137
ん〜〜。ってかAlの層を成長する前に、十分排気しとけばいいんじゃないの?
0139名も無きマテリアルさんNGNG
>>138
普通窒化物の成長はアンモニアがNのソースなんだよ。アンモニア流さないと成長が始まらない。
MOCVD成長はIII族律則だから、大量のNH3雰囲気下にTMAlを流すので、TMAlが基板表面に
到着する前にNH3によって侵食されて副生成物になってしまうのがAlN成長時の問題。

GaInNAsやっているところはNのソースにDMHyというNの有機金属使っている所もあるけど少数派。
貴方はMBEかCBE、PLDあたりの人かな?
0140名も無きマテリアルさんNGNG
窒化物でもGaN系のお話でしたのね・・・
GaAs−AlGaAsのDBRを想像してました。。。。OTZ

>GaInNAsをMBEでやるメリットは中々ないし

GaInNAsをMBEです・・・泣
メンテが少なくて楽とか・・・

貴殿はMOCVDでGaN系ですか?
0141名も無きマテリアルさんNGNG
へーへーへー。MBEの方が結晶品質はいいですよね。
私はMOCVDです。DBRですか。VCSELでもやってるんですか。
って、別に特定したいわけじゃないのですが、
横の研究室が同じような事やっているもんで。。。
0142名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAs系がGaInAsP系に取って代わる日はくるんでしょうか?
0143名も無きマテリアルさんNGNG
げーナスのメリットって何?
0144名も無きマテリアルさんNGNG
>>143
温特
0145名も無きマテリアルさんNGNG
>>144
そうか?
0146名も無きマテリアルさんNGNG
量子ドットも最初は特性温度が∞になるとかいう理論予測だったが
もう特性温度はあきらめられているようだな
しかしその論文が未だ引用され続けているのが謎だ
0147名も無きマテリアルさんNGNG
>>146
特性温度って今の最高いくつ?
0148名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsってもうだめなの?
0149名も無きマテリアルさんNGNG
いいんでねーの。実用化も最近されてるよな
0150名も無きマテリアルさんNGNG
量子ドットも負けないぞぉw
0151名も無きマテリアルさんNGNG
量子ドット使って1.55umのレーザって研究進んでんの?
というか、InAs/GaAs以外の材料系のやつ
0152名も無きマテリアルさんNGNG
>>149
どこで?
日立????
0153名も無きマテリアルさんNGNG
日立と古河もじゃん?
0154名も無きマテリアルさんNGNG
InGaAsPむずい。
0155名も無きマテリアルさんNGNG
やべえ、進んでねぇよ。
そもそも人でがたりねーよ。
たった一人で世界に対抗するのつらいよ。
0156名も無きマテリアルさんNGNG
>>153
面発光?じゃないよね?
0157名も無きマテリアルさんNGNG
>>154
何でいまさら(ry

>>155
一人w
ガンガレ、インド人、中国人ヤトッテガンガレ!
0158名も無きマテリアルさんNGNG
GaAs/AlGaAsでてこずってますが...
何でMBEの選択成長うまいこといかんねん!パターン基板嫌い!(泣
やっぱ選択成長はMOCVDのほうがいいかな... MEEできんし...
0159名も無きマテリアルさんNGNG
>>158
三族ソースは何?
0160名も無きマテリアルさんNGNG
いろいろですな。何でいまさらGaAs/AlGaAsとかInGaAsPとかなんだ?
と思わなくもないけど、きっと面白いことやってんだよね
0161名も無きマテリアルさんNGNG
>>159
普通にに金属Gaですが...
あと,成長時のX/V比やたら高いです.
論文とかで10以下でやってるのを見ますがそんな成長したら
取り出したとき基板は真っ白です.
0162名も無きマテリアルさんNGNG
Alの選択成長って珍しい感じするけど、拡散係数はどうなん?
0163名も無きマテリアルさんNGNG
Alはほぼ拡散ありません.Gaのみ拡散します...
でOKですよね?
0164名も無きマテリアルさんNGNG
>>161
金属GaではMEEは無理っぽくない...?
0165名も無きマテリアルさんNGNG
InGaAsPのドットでどうなの?
0166名も無きマテリアルさんNGNG
意味あんのか?InAs/InPでも格子不整合足らないで不均一になるんだから
InGaAsPにするメリットは不明。むしろ歪補償QWと同じ意味でInP基板の上に
tensileのInGaAsPバッファーは意味がありそう
0167名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsでIn34%とかにすると光らないんですがなぜですか?
0168名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsで藻ナーとかではどうだろう?
0169名も無きマテリアルさんNGNG
InGaAs/GaAsのコツを教えてくれ〜
0170名も無きマテリアルさんNGNG
コツってか、InGaAs/GaAsって出来んのか?
格子不整合だよな…Inを出来る限り薄くするってのと
膜厚もそんな積めないよな。
AlGaInAsとかInGaPじゃダメなの?
0171名も無きマテリアルさんNGNG
>>170
井戸ならいけるんじゃない?
0172名も無きマテリアルさんNGNG
>>170
AlGaInAsって(Al+Ga):InがInGaAsのGa:Inとおんなじやったら
格子定数ほぼ一緒のような気がするけども
0173名も無きマテリアルさんNGNG
>>171
井戸はもちろんいけるだろうね。ひずみ量と臨界膜厚の関係式を満たしていれば。
Inが薄けりゃ井戸が出来るし、逆に濃くすればドットが出来るはず。

>>172
そうそう、そういう意味でAlGaInAsにすればっていってんだけど。
歪みを求めているのでなければ、別にAlGaInAsで十分でしょ。
歪ませるのが目的であれば、当然AlGaInAsではダメだ。
選択成長でIII族の分布orV族の分布を調べるとか特殊なモチベーションもあるけど。
0174名も無きマテリアルさんNGNG
>>173
>そうそう、そういう意味でAlGaInAsにすればっていってんだけど。
歪みを求めているのでなければ、別にAlGaInAsで十分でしょ。
歪ませるのが目的であれば、当然AlGaInAsではダメだ。

どういうこと?格子定数同じなら歪みも同じじゃないの?それとも物性能的に代用ってこと?
0175名も無きマテリアルさんNGNG
>選択成長でIII族の分布orV族の分布を調べるとか特殊なモチベーションもあるけど。

原子の分布ってどうやって調べるんですか?
0176名も無きマテリアルさんNGNG
>>174
ごめん、そういう意味じゃなくって、AlAsとGaAsはほぼ格子整合だけど
若干はtensileでしょ?Inの薄いやつで、AlGaInAsとGaAsがlattice match
する混成比があるはず。かなり厳しいだろうけど、InGaAs/GaAsよりマシだと思った。

>>175
選択成長したらミクロオーダーで混成比が分布するからμPLとかμXRDでわかる
0177名も無きマテリアルさんNGNG
発振したかも....でも閾値タケー、出力ヨエー、自然放出に負けるな。
0178名も無きマテリアルさんNGNG
>>176
AlAsとInAsって両方GaAsより格子定数大きくなかったっけ?
なので格子整合はしないかと...
0179名も無きマテリアルさんNGNG
>>177
PLでどのくらい光ればレーザーって作れるの?
0180名も無きマテリアルさんNGNG
>>179
発光の強さより、いかに光を閉じ込めるかの方が重要だと思うな。
0181名も無きマテリアルさんNGNG
レーザは設計が重要だな。結晶品質だとか界面制御とかも重要だけど。
あと地味に電極作成とか研磨プロセスとかが重要だな。

>>177
詳しく。せめて材料系か量子構造の種類、どっちか教えて
0182名も無きマテリアルさんNGNG
>>178
ほんまや。俺がアホやった。すまん。
174にはInGaPあたりを選んでもらおう
0183名も無きマテリアルさんNGNG
>>181
GaInNAs系ってAlGaAs系の技術じゃだめなの?
0184名も無きマテリアルさんNGNG
PLで基板よりちょい光ってれば発振するよな
ELがうまくいくことと共振構造がうまく言っていることが前提だが
0185名も無きマテリアルさんNGNG
>>184
PLのディテクタは何?
0186名も無きマテリアルさんNGNG
>>184
励起強度によって変わることありますけど.
基板より光ったり光らなかったり
0187名も無きマテリアルさんNGNG
>>185
1300nmぐらいは何???
0188名も無きマテリアルさんNGNG
>>185
InGaAsだけど・・・??
0189名も無きマテリアルさんNGNG
発進したいよ。
0190名も無きマテリアルさんNGNG
発車オーライ。
0191名も無きマテリアルさんNGNG
やべー。超伝導AlGaN/GaN量子ドットカスケードレーザー発振しちゃったよ。
ノーベル賞もんか?やべーやべー
0192名も無きマテリアルさんNGNG
>>191
藻前の頭が発振中w
0193名も無きマテリアルさんNGNG
Geディテクターだと検出感度が870nmだとものすごい弱くて
簡単に基板より光るんですけどダメですよね?
0194名も無きマテリアルさんNGNG
校正されてないの?
0195名も無きマテリアルさんNGNG
ないですね・・・
0196名も無きマテリアルさんNGNG
InGaAsSbで発振した!!!!!!

やっべーーーーーーー

うっひょーーーーーー
0197名も無きマテリアルさんNGNG
クラス3以上の昔のレーザーポインター欲しいな〜
買えないかな
輸入でもいいから欲しいです。
0198名も無きマテリアルさんNGNG
GaInNAsって結局どこに使われるの?
0199名も無きマテリアルさんNGNG
http://ex8.2ch.net/test/read.cgi/k1/1100952300/l50#tag480
↑のスレの480が犯罪予告!

こええーーーーーー。
0200名も無きマテリアルさんNGNG
レーザー通信は電波法に引っかからないからいいよな。
ただし指向性が強すぎて一般の市場参入は望めないが。
航空宇宙関連でしか開発が進まないんじゃ、昨日のプロジェクトXみたいな苦労をすることになるんだろうな。
乙。
0201名も無きマテリアルさんNGNG
レーザ通信といえば98%は光ファイバ通信であります
0202名も無きマテリアルさんNGNG
eye safeの波長ってどんなにパワーが強くてもeye safe?
なわけないか。
0203名も無きマテリアルさんNGNG
eye-safeの条件にパワーが弱いことも含まれている
0204名も無きマテリアルさんNGNG
FeSi2がSi上で1.55μmで光る!とかいって幾つか研究グループが
あるみたいだね。でもまだPN接合ができた!やったーみたいな感じ
に見えるけども将来性はどうなんでしょう?面発光を可能にするよう
な反射鏡とかでてくるのかな?AlGaInNAsSb系が脅かされたりしないかな?
0205名も無きマテリアルさんNGNG
いつも思うんだが、AlGaInNAsSb系って混ぜすぎ。
0206名も無きマテリアルさんNGNG
>>205
全部混ぜるわけじゃないでしょ
0207名も無きマテリアルさんNGNG
それが混ぜるんだよ。長波長出すには.....
0208名も無きマテリアルさんNGNG
>>207
それ+ドーピング用の材料もあるんでしょ?
すげーなー。原料数
0209名も無きマテリアルさんNGNG
>>204
そもそもInGaAsPに勝てんのか?AlGaInNAsSbて
0210名も無きマテリアルさんNGNG
おれも勝てるのか?と思うよ。通信用だと結局温度の保証回路で見張らないと
光源としての信頼性にかかわってくるでしょ?でもそんな回路つけてたら
InGaAsPとあんまり価格的に変わらない悪寒。ってか結晶成長難しい分だけ普及しない悪寒。
0211名も無きマテリアルさんNGNG
>>210
そもそも研究背景としてAlGaInAsSbのメリットって何?
特性温度?
0212名も無きマテリアルさんNGNG
GaAs−AlGaAsのDBR
0213名も無きマテリアルさんNGNG
>>212
GaAs-AlAsのDBRと言わないところがツウだね。w
0214名も無きマテリアルさんNGNG
今日GaInAsNSbの内容を初めて知ったよ。
GaInAsNじゃ1.3umくらいしかでないのね
0215名も無きマテリアルさんNGNG
Tl,Biも入れちゃえばいいのにw
0216名も無きマテリアルさんNGNG
ついでにボロンも入れてまえ
0217名も無きマテリアルさんNGNG
面発光レーザが量産されてしまったのね・・・
0218名も無きマテリアルさんNGNG
AlGaInNAsSbレーザには混ぜすぎ危険のシールが貼ってあります。
0219名も無きマテリアルさん05/01/27 10:46:26
age
0220名も無きマテリアルさん05/02/05 00:34:51
発振したような、しないような....( ゚д゚)
0221名も無きマテリアルさん05/02/05 01:01:38
>>220
スポンスポン
0222名も無きマテリアルさん05/02/05 02:35:33
発振した
 そう思いきや
   ASE
0223名も無きマテリアルさん05/02/06 06:34:44
age
0224名も無きマテリアルさん05/02/11 17:56:05
俺の修論さらすから誰か読んでくれないか?
時代に取り残されたGaInNAsなんだが・・・
0225名も無きマテリアルさん05/02/11 22:28:38
発振が1.3ミクロン超えていれば見たいな。
1.3ミクロン帯っていいながら1.2だと、え〜ってなるから。
0226名も無きマテリアルさん05/02/11 22:29:21
>>224
今すぐうp!
GaInNAsが時代に取り残された?
うちなんかまだInGaAsPですよ・・・
0227名も無きマテリアルさん05/02/12 18:15:32
>>224
まだぁ〜チンチン
0228名も無きマテリアルさん05/02/12 21:38:14
ところで今の時代はなに?
この分野やってないのでわかりません
0229名も無きマテリアルさん05/02/13 12:01:47
Sb
0230名も無きマテリアルさん05/02/18 16:15:29
今回のインテルのラマン増幅器って何?
0231名も無きマテリアルさん05/02/20 17:47:35
発振したんだけどねぇ.....公表できないなぁ。
0232名も無きマテリアルさん05/03/17 23:15:06
1.55で発振したけど知りたい?
0233名も無きマテリアルさん05/03/17 23:18:12
別に
0234名も無きマテリアルさん05/03/18 01:09:38
確かに最近Sb流行ってるみたいね
0235名も無きマテリアルさん05/03/18 11:25:44
Sb使うめりっとは?
0236名も無きマテリアルさん05/03/19 01:21:25
長波じゃねーの
0237名も無きマテリアルさん2005/03/28(月) 21:59:28
>>235
長波と3次元成長抑制じゃね?
0238名も無きマテリアルさん2005/04/02(土) 18:00:54
ところで、Sbのソースといったら何?
スチビン?それとも、TMSb?
0239名も無きマテリアルさん2005/04/03(日) 00:12:13
トリスジメチルアミノアンチモン(TDMASb)
0240名も無きマテリアルさん2005/04/09(土) 18:05:50

蒸気圧低すぎない?
0241名も無きマテリアルさん2005/04/23(土) 11:47:09
1.55ミクロンで発振してたあげ
0242名も無きマテリアルさん2005/05/20(金) 23:25:24
最近の馴れ初めはどうなのよ?
0243名も無きマテリアルさん2005/05/21(土) 03:01:16
通信用レーザで有名なセンセって誰だ?
0244名も無きマテリアルさん2005/05/21(土) 12:21:57
A川、A井、K山、I賀か?
0245名も無きマテリアルさん2005/05/21(土) 16:42:31
東大量子ドットと東工大S松一家ってところか
最近は純粋なレーザの研究ってのは少なくなったね。
スイッチ、集積とかVCSELや材料かえるってのが主流かね
0246名も無きマテリアルさん2005/05/21(土) 22:57:45
気分がのってきたのでど〜でもいいこと書きます。

ど〜でもいいですよ♪
東工大S松一家って有名なのにすずかけ台にあるから内部生には人気が全くない。
研究室メンバーの9割は院からの外部生。
0247名も無きマテリアルさん2005/05/22(日) 00:47:47
すずかけの方は誰か最近成果だしてんの?
A井センセのところの発表は時々聞くけど
0248名も無きマテリアルさん2005/05/23(月) 00:59:10
フォトニック結晶も忘れないで
0249名も無きマテリアルさん2005/06/02(木) 02:08:06
ちきしょーレージング来ねーorz
0250名も無きマテリアルさん2005/07/14(木) 00:36:22
あgrとく
0251名も無きマテリアルさん2005/08/06(土) 13:35:32
応物のネタがない。夏休みはいつ来るのだろう・・・
0252名も無きマテリアルさん2005/10/31(月) 11:24:08
[???? [?????
0253名も無きマテリアルさん2005/11/15(火) 03:54:57
この分野って半分結晶成長だよね
0254名も無きマテリアルさん2005/11/19(土) 16:03:48
禿しく同意,と.
0255名も無きマテリアルさん2005/11/20(日) 01:16:30
しかし応物ではレーザーのセッションって人少なくなってきてるよね。
光制御に移ってきているのか、量子効果とか結晶成長とか散在しているのか
0256名も無きマテリアルさん2006/08/26(土) 21:49:14
>>255
うん。
0257名も無きマテリアルさん2007/01/08(月) 02:47:41
量子ドットレーザ
フォトニック結晶の共振器を使ったレーザ
GaInNAs(Sb)レーザ
InN レーザ

次にくるのはどーれだ
0258名も無きマテリアルさん2007/06/27(水) 01:29:22
上3つとももうきてんじゃないの
0259名も無きマテリアルさん2007/09/30(日) 14:30:25
eftwrghgrrgnh





mhgh




hmgmgfdgh




jfgjjyj




ryeryery




jggfjgj



0260名も無きマテリアルさん2007/10/05(金) 23:50:23
今でも通信速度って十分でしょ。
0261名も無きマテリアルさん2007/12/28(金) 01:05:47
波長が長いと減衰が少ない理由はどうしてでしょう?
0262名も無きマテリアルさん2008/12/27(土) 02:20:30
ほぼ1年ぶりだわ。
>>261
波長が長いと減衰が少ないというのは
光ファイバ伝送において最低損失帯が可視より長波だという意味だろうか
0263名も無きマテリアルさん2008/12/31(水) 21:40:52
ファイバーを使わない空中レーザー通信機器メーカー知ってたら教えて!
0264名も無きマテリアルさん2009/01/10(土) 02:05:56
衛星間光通信でどこかの会社がやっていた気がします。
0265名も無きマテリアルさん2009/11/17(火) 04:52:56
減衰の少ない波長のレーザーとファイバーが実用化されれば無中継で太平洋横断も出来そうですね。
開発の見通しは如何でしょう?
0266名も無きマテリアルさん2010/05/24(月) 11:01:55
波長の多重化は有効だろう。
0267名も無きマテリアルさん2010/06/21(月) 01:09:49
今更何をwww
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